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东京工业大学团队开发出两种可用于有机电子显示器的新氧化物半导体材料

2017-02-21 270浏览 标签: 日本

2月17日,日本东京工业大学科学团队成功开发了两种可用于有机电子显示器电子注入层和电子传输层的新氧化物半导体材料。

有机半导体具有较小的电子亲和力,这使得将电子从阴极注入到活性层变得很困难,这也是有机发光显示器的瓶颈。此外,由于在电子传输层中不存在具有高迁移率的透明材料,这不仅使增加层的厚度变得不可能,还造成了有机半导体容易发生短路的问题。

由东京工业大学创新研究院Hideo Hosono教授领导的研究小组主要专注于研究氧化铟镓锌薄膜晶体管(IGZO-TFT)在有机发光显示器中的应用问题,该团队成功使用透明非晶态氧化物制备了用于电子注入层和电子传输层的新材料。此次研发成果增加了氧化铟镓锌薄膜晶体管(IGZO-TFT)在有机发光显示器中应用的稳定性,降低了制造成本。此材料的电子注入层具有与锂金属相似的低功函数,而传输层具有比常规有机材料高出3位数的高迁移率。科学家们已经证明,使用这种新材料制成的有机发光器件可以在使用反向堆叠结构(阴极在底部的结构)时具有等于或优于使用堆叠结构时的性能。

新开发的透明氧化物半导体全部为透明且具有优良化学稳定性。在环境温度下,该半导体材料可以像透明氧化铟锡(ITO)电极一样很容易地在大面积基板上进行制备。通过此种方法制备得到的薄膜是非晶态的,其表面具有优良的平滑性。此外,科学家们还可以同时对在氧化铟锡(ITO)电极上形成的薄膜进行湿蚀刻处理,这使得创造一个适合于大规模生产的工艺流程变得可能。


使用新材料的有机发光显示器

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